А что там с мемристорами?

Компьютеры, программы, периферия, коммуникации, интернет, программирование и т.п. Ранее назывался Hard-n-Soft.
Сообщение
Автор
BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 0 Сообщение BadBlock » 12 июл 2013 14:52

Раз:

Понедельник, 05 Мая, 2008

Четвертый элемент: специалисты HP воплотили в жизнь технологию памяти, придуманную 37 лет назад

По сообщению компании Hewlett-Packard (HP), специалистам исследовательского подразделения удалось создать новый базовый элемент электронных схем. Принцип его работы был описан теоретически 37 лет назад, но создать действующие образцы «мемристора» (название memristor образовано из слова memory — память и resistor — резистор) удалось лишь сейчас, благодаря достижениям нанотехнологии.

Как утверждается, создание нового элемента может стать наиболее значительным событием десятилетия в микроэлектронике и привести к кардинальным изменениям в технологии хранения информации, поскольку мемристор способен хранить данные без затрат энергии на протяжении длительного времени. Микросхемы памяти, построенные на базе мемристоров, сулят возможность моментального включения компьютеров за счет отказа от необходимости начальной загрузки, понижение энергопотребления мобильных устройств и другие захватывающие перспективы.

Термин «мемристор» предложил в 1971 году ученый из калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua), который разработал теоретический фундамент четвертого элемента. По мнению автора открытия, мемристор относится к тому же ряду, что и резистор, конденсатор и индуктивность. Спустя 37 лет, группа исследователей по руководством Р. Стэнли Уильямса (R. Stanley Williams) смогла создать первый рабочий образец мемристора. Элемент сформирован пересечением электродов из платиновой нанопроволоки, разделенных пленкой диоксида титана. Сопротивление мемристора можно существенно (на три порядка) изменять, пропуская через него ток. Изменение сопротивления эквивалентно переключению между единичным и нулевым состоянием, что и наделяет новый элемент свойством памяти. Важно, что энергия затрачивается только в момент переключения.

Изображение

По мнению HP, новая технология вполне может претендовать на роль универсальной памяти будущего, которая одновременно заменит используемую сейчас динамическую память с произвольным доступом и флэш-память.

http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?10/44/09

=================================

И два:

Пятница, 28 Сентября, 2012

Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти

В 2008 году компания HP сообщила о создании мемристора, четвертого базового элемента электронных схем. По мнению HP, мемристоры могут кардинально изменить технологии хранения информации, будучи универсальной памятью, которая одновременно заменяет динамическую память с произвольным доступом и флэш-память.

Год назад был обнародован план коммерциализации разработки, предусматривающий выпуск новой памяти летом 2013 года.

Похоже, планы несколько изменились, как это часто бывает с новыми разработками. Согласно сообщению источника, ссылающегося на слова старшего научного сотрудника HP Labs Стэна Вильямса (Stan Williams), мемристоры выйдут на рынок не раньше конца 2013 года.

Интересно, что господин Вильямс уточнил, что дело не в технической стороне.

«Наш партнер, Hynix, является крупным производителем флэш-памяти, и мемристоры подорвут его бизнес, отняв часть рынка у флэш-памяти, — сказал господин Вильямс. — Так что подобрать время для выпуска мемристоров на рынок оказалось очень важным. Гораздо больше денег сейчас тратится на моделирование и понимание рынка, чем на исследовательскую работу».

Что касается этой самой исследовательской работы, она, по словам Стэна Вильямса, в основном завершена, так что выпуск новой памяти сможет освоить любая фабрика.

http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/15/46

=================================

Невидимая рука рынка держит мемристоры. :x

Пойманый_маньяк
Аватара пользователя
Благодарил (а): 404 раза
Поблагодарили: 694 раза

№ 1 Сообщение Пойманый_маньяк » 15 июл 2013 12:29

0: BadBlock:

> Невидимая рука рынка держит мемристоры. :x

Создала и держит :)
Предполагаю, что Flash распродадут и выпустят.
Иначе есть опасность, что кто-нибудь это сделает до них - тогда они потеряют и Flash и мемристоры.

BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 2 Сообщение BadBlock » 15 июл 2013 14:07

1: Пойманый_маньяк:
> Создала и держит :)

Создала не рука рынка, а разработчеги-исследователи.
Рука их держит! :x

> Предполагаю, что Flash распродадут и выпустят.

Что значит "распродадут", они flash клепают вовсю, как я понял.
Ждут, чтобы сперва рыночные сливки выжать из флеша.

Паша_с_Уралмаша
Аватара пользователя
Поблагодарили: 3 раза

№ 3 Сообщение Паша_с_Уралмаша » 23 июл 2013 14:23

2: BadBlock:
ну а чо нервничать?
они же изобрели. хозяин барин.
парились, вколотили кучу бабосов, то-сё..
в глобальном смысле оно конечно да, не фонтан, но в целом история понятная.

BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 4 Сообщение BadBlock » 24 июл 2013 14:05

3: Паша_с_Уралмаша:

Изобрели их разработчеги-исследователи.
А держит не пущает - невидимая рука эффективного рынка.
Ну, как в депрессию в США молоко выливали в реку при куче голодных в стране.

Burg
Аватара пользователя
Зок-модератор
Благодарил (а): 14 раз
Поблагодарили: 138 раз

№ 5 Сообщение Burg » 24 июл 2013 14:09

4: BadBlock:
не в качестве спора, а так маслица подлить. А разработчики-исследователи бесплатно на энтузиазме и на коленках такую технологию разработали? :)

Паша_с_Уралмаша
Аватара пользователя
Поблагодарили: 3 раза

№ 6 Сообщение Паша_с_Уралмаша » 24 июл 2013 15:16

подлил, подлил.
-
Кирилл, я бы тоже бы так и сидел на убунте не платя омериканскому олигарху денег за венду, если бы не автокад и визио и изредка 1С.

BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 7 Сообщение BadBlock » 25 июл 2013 03:53

5: Burg:
> не в качестве спора, а так маслица подлить. А разработчики-исследователи бесплатно на энтузиазме и на коленках такую технологию разработали? :)

Не, они рыночно конкурируют между собой внутри организации. )))

Manfred
Аватара пользователя
Папараций
Благодарил (а): 811 раз
Поблагодарили: 876 раз

№ 8 Сообщение Manfred » 06 авг 2013 14:59

Калифорнийская компания Crossbar, основанная в 2010 году, представила эффективную технологию изготовления памяти RRAM, которая в перспективе должна стать альтернативой широко распространённой флеш-памяти NAND

...

Crossbar отмечает, что разработанная методика позволяет создавать чипы памяти, обладающие по сравнению с NAND в 20 раз более высокой скоростью записи, в 20 раз меньшим энергопотреблением и в 10 раз большей долговечностью. При этом при сопоставимой ёмкости изделия RRAM будут вдвое компактнее NAND.

...

Crossbar уже создала рабочие образцы массивов ячеек RRAM, используя оборудование на коммерческом предприятии. Компания намерена лицензировать свою технологию сторонним производителям. Ожидается, что продукты на основе резистивной памяти с произвольным доступом появятся в течение двух–трёх лет.
http://compulenta.computerra.ru/tehnika ... /10008339/

Пойманый_маньяк
Аватара пользователя
Благодарил (а): 404 раза
Поблагодарили: 694 раза

№ 9 Сообщение Пойманый_маньяк » 06 авг 2013 15:52

Иначе есть опасность, что кто-нибудь это сделает до них

1: Пойманый_маньяк
Например калифорнийская компания Crossbar...
Ожидается, что продукты на основе резистивной памяти с произвольным доступом появятся в течение двух–трёх лет.
Вот тебе и держащая рука рынка :)

BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 10 Сообщение BadBlock » 07 авг 2013 15:36

9: Пойманый_маньяк:

В №8 вообще про другую память, прочитал бы хоть повнимательнее.

Manfred
Аватара пользователя
Папараций
Благодарил (а): 811 раз
Поблагодарили: 876 раз

№ 11 Сообщение Manfred » 07 авг 2013 19:29

10: BadBlock:
резистивная память и мемристор из разных областей?

Пойманый_маньяк
Аватара пользователя
Благодарил (а): 404 раза
Поблагодарили: 694 раза

№ 12 Сообщение Пойманый_маньяк » 07 авг 2013 20:24

10: BadBlock:

> Сопротивление мемристора можно существенно (на три порядка) изменять, пропуская через него ток.
> Изменение сопротивления эквивалентно переключению между единичным и нулевым состоянием, что и наделяет новый элемент свойством памяти.
> (c) Сообщение 0

> материал фактически является управляемым постоянным резистором с двумя или более переключаемыми уровнями сопротивления
> (c) Сообщение 8


Эм...
Принципиальных отличий не увидел.

BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 13 Сообщение BadBlock » 08 авг 2013 01:48

Мемристоры обещают совместить RAM и Flash, а второе RAM'овских скоростей не обещает и позиционируется как замена Flash, просто с большей скоростью и долговечностью (видимо, количеством циклов перезаписи).
Впрочем, в перспективе может быть очень похоже.

А так да, на Crossbar прибыли от Flash поди не давят, для них выгоднее запустить поскорее, чтобы с этого гребсти.

Игрек

№ 14 Сообщение Игрек » 12 авг 2013 10:55

Panasonic выпускает первое в мире устройство на базе технологии ReRAM:
Японская Panasonic сегодня сообщила, что в августе начнет поставки первого в мире коммерческого компьютерного продукта, работающего на базе технологии памяти ReRAM. Как рассказали в компании, речь идет о линейке микросенсоров окружающей среды MN101LR, которые предназначены для установки и системы контроля воздуха, медицинское оборудование и пожарные сигнализации. В компании говорят, что за счет применения ReRAM новые сенсоры будут обладать более простой конструкцией и будут значительно более производительными в сравнении с сегодняшними аналогами.

ReRAM-чипы потребляют меньше электроэнергии в сравнении с используемыми на сегодня чипами памяти NAND, но способны записывать данные в 10 000 раз быстрее. Использовать новые модули памяти предлагается как в компьютерах, так и в устройствах потребительской электроники - камерах, плеерах и т д.

ReRAM – это вид хранения информации, нестираемый при отключении питания, который отличается низким энергопотреблением. Данная технология в перспективе может заменить флэш-память, которая в настоящее время используется в мобильных телефонах и MP3 плеерах. ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя - то есть памяти, которая может вести себя, как Flash, DRAM или жесткий диск.

ReRAM состоят из так называемых мемристоров, которые обладают гораздо большей способностью к хранению информации, чем существующие аналоги. Мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее современных твердотельных накопителей и могут сохранять информацию даже при выключенном питании.
RAM wars: RRAM vs. 3D NAND flash, and the winner is... us
Crossbar is not alone in its development of RRAM. Both Hewlett-Packard and Panasonic have developed their own versions of resistive memory, but according to Jim Handy, principal analyst at Objective Analysis, Crossbar has a huge leg up on other developers.

"One very big advantage of this technology is that the selection device is built into the cell. In other RRAMs it is not, so something external (a diode or transistor) has to be built in. This is an area that has received a lot of research funding but is still a thorny issue for many other technologies,"

Пойманый_маньяк
Аватара пользователя
Благодарил (а): 404 раза
Поблагодарили: 694 раза

№ 15 Сообщение Пойманый_маньяк » 12 авг 2013 12:39

Переведите кто-нибудь?
У меня с разговорным английским плохо.
А переводы Яндекса и Гугла утверждают, что:
Crossbar имеет огромную ногу на других разработчиков.
И меня это пугает :(

BadBlock
Аватара пользователя
Благодарил (а): 1586 раз
Поблагодарили: 8125 раз

№ 16 Сообщение BadBlock » 13 авг 2013 03:25

15: Пойманый_маньяк:

To have a leg up on (smb.) - иметь преимущество перед (кем-то).

Manfred
Аватара пользователя
Папараций
Благодарил (а): 811 раз
Поблагодарили: 876 раз

№ 17 Сообщение Manfred » 15 авг 2013 07:28

...исследователи из Калифорнийского университета в Риверсайде (США) сообщили, что нашли способ улучшения структуры RRAM....
http://compulenta.computerra.ru/tehnika ... /10008508/

Пойманый_маньяк
Аватара пользователя
Благодарил (а): 404 раза
Поблагодарили: 694 раза

№ 18 Сообщение Пойманый_маньяк » 15 авг 2013 17:19

По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи
[довольно потирает руки]
Фиг я теперь SSD-у куплю эту опасную...

Yandex(Bot)
Аватара пользователя
Благодарил (а): 32 раза
Поблагодарили: 61 раз

№ 19 Сообщение Yandex(Bot) » 16 авг 2013 19:07

16: BadBlock:
> To have a leg up on (smb.) - иметь преимущество перед (кем-то).

ну считай буквально перевел. огромной ногой оно теперь всех разработчиков размажет.

как думаете,когда будут внедрять уже в массовое производство?

phenix
Благодарил (а): 56 раз
Поблагодарили: 49 раз

№ 20 Сообщение phenix » 17 авг 2013 22:07

18: Пойманый_маньяк:
пока не отобьют расходы на создание NAND ReRam не выпустят, то есть еще лет 20-ть. Покупай SSD, нового не дождешься до пенсии.

Пойманый_маньяк
Аватара пользователя
Благодарил (а): 404 раза
Поблагодарили: 694 раза

№ 21 Сообщение Пойманый_маньяк » 17 авг 2013 23:49

20: phenix:

А те, кто вложился меньше и у кого нет особых производств SSD - они просто сядут и подождут пока конкуренты все распродадут и отобьют? :)
Угу.

Как только хоть одна контора выпустит ReRam - остальные со своими запасами и заводами по производству SSD будут серьезно рисковать оказаться в "нижнем конце пищеварительного тракта". А пребывать в этом месте грустно и невыгодно.
И поэтому IMHO скорее всего сейчас полным ходом идет гонка. Кто первыми выпустит, тот получит преимущество над конкурентами.
Если кто-то будет упираться в старые технологии - уйдет в небытие.
Честно говоря практически уверен - год, максимум два...

Игрек

№ 22 Сообщение Игрек » 05 фев 2014 17:04

Варианты производства ReRAM (RRAM) обсудили на ежегодной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013

Память ReRAM получила массивную поддержку в прессе после сообщения компании HP о создании мемристора — пресловутого четвёртого электротехнического элемента, сопротивление которого может иметь ряд стабильных, но линейно изменяемых значений. До этого подобная память без какой-либо помпы разрабатывалась целым рядом компаний. Вся она основана на принципе управляемого насыщения/вытеснения условной ячейки ионами кислорода. Но стоило в пресс-релизе HP появиться слову «мемристор», и пошло-поехало.

На IEDM 2013 обсуждались вопросы формирования матричных структур ReRAM и варианты организации гальванической развязки ячеек для снижения паразитных утечек. При этом, что естественно, стоит задача создать максимально простой и максимально надёжный процесс, в котором все элементы выполняются в едином цикле. Иначе говоря, те же диодные структуры для организации развязок желательно создавать в процессе формирования ячеек и управляющих электродов.

Создание трёхмерных ячеек ReRAM по технологии компании Windbond
Изображение
Свой метод производства ReRAM предложила тайваньская компания Windbond Electronics вместе с одним из местных университетов (документ 10.4). На подложке последовательно методом наложения формируются несколько тонкоплёночных структур из изолятора (оксида кремния, синий цвет на картинке) и проводника (титана, оранжевый слой): всего по два слоя каждого материала. После травления образуется два уровня вертикальных проводников тока. Следующим этапом наносятся три тонкоплёночных слоя — из оксида титана, оксида тантала и тантала — и тоже проводится травление, в результате которого создаются горизонтальные проводники, но уже из тантала. Тем самым создаётся матрица, где ячейки памяти — это участки (столбцы) на пересечении проводников из титана и тантала. Более того, в месте каждого пересечения получается две ячейки друг над другом, и число «этажей» определённо можно будет наращивать по мере совершенства техпроцесса.

Согласно оценкам разработчиков, устойчивость к износу памяти ReRAM в подобной версии будет достигать 10 в 9-й степени. Напряжение записи/стирания равно 5/6 В при силе тока менее 1 мкА.

Проект ячейки ReRAM разработчиков из Кореи, США и Японии
Изображение
Ещё одна 3D-конструкция ReRAM предложена разработчиками из Южной Кореи, Японии и США (из Стенфорда). Она носит название гибридной и использует более экзотические материалы. Например, такие, как ниобий, включая проводники из вольфрама. Зато запись ячеек может проводиться напряжением от 1,6 В до 0,6 В. Все предложенные методы, как и масса других решений, имеют свои достоинства и недостатки. Что из этого окажется жизнеспособным, а что нет, покажет только движение к практической реализации проектов

Вернуться в «Компьютерный форум»

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 0 гостей